全文获取类型
收费全文 | 11378篇 |
免费 | 2440篇 |
国内免费 | 3848篇 |
专业分类
化学 | 8523篇 |
晶体学 | 406篇 |
力学 | 708篇 |
综合类 | 485篇 |
数学 | 1770篇 |
物理学 | 5774篇 |
出版年
2024年 | 17篇 |
2023年 | 153篇 |
2022年 | 391篇 |
2021年 | 420篇 |
2020年 | 405篇 |
2019年 | 425篇 |
2018年 | 424篇 |
2017年 | 563篇 |
2016年 | 451篇 |
2015年 | 643篇 |
2014年 | 706篇 |
2013年 | 917篇 |
2012年 | 930篇 |
2011年 | 966篇 |
2010年 | 972篇 |
2009年 | 968篇 |
2008年 | 1130篇 |
2007年 | 986篇 |
2006年 | 972篇 |
2005年 | 732篇 |
2004年 | 600篇 |
2003年 | 475篇 |
2002年 | 486篇 |
2001年 | 487篇 |
2000年 | 528篇 |
1999年 | 326篇 |
1998年 | 167篇 |
1997年 | 159篇 |
1996年 | 163篇 |
1995年 | 126篇 |
1994年 | 137篇 |
1993年 | 148篇 |
1992年 | 106篇 |
1991年 | 87篇 |
1990年 | 80篇 |
1989年 | 70篇 |
1988年 | 54篇 |
1987年 | 61篇 |
1986年 | 45篇 |
1985年 | 34篇 |
1984年 | 24篇 |
1983年 | 25篇 |
1982年 | 20篇 |
1981年 | 15篇 |
1980年 | 16篇 |
1979年 | 19篇 |
1978年 | 6篇 |
1977年 | 7篇 |
1974年 | 5篇 |
1936年 | 4篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 687 毫秒
81.
82.
提出一种波长检测技术实现温度测量的方法,利用FBG传感器对温度等物理量实施监测,具有测试精度高,应用场合不受限制等特点,当环境参数发生变化时,光纤光栅的有效折射率和光栅周期会受到影响,将引起光纤光栅峰值波长的偏移,依据反射光谱结构的变化,可知道其温度的变化趋势。实验测试结果表明,在温度变化0.1°,波长变化1pm,温度和波长具有良好的线性关系。 相似文献
83.
Ba2SiO4荧光粉中Ce3+和Eu2+的光谱性质和能量传递 总被引:5,自引:4,他引:1
采用高温固相法合成了绿色荧光粉Ba2SiO4:Ce3 ,Eu2 .测量了它们的吸收光谱、激发光谱和发射光谱,观察到了Ba2SiO4中Ce3 对Eu2 发光的敏化现象,发光的敏化作用缘于Ce3 和Eu2 之间的高效无辐射能量传递. 相似文献
84.
水下光通信充分利用了海水对激光的衰减窗口效应,具有隐蔽、安全、非接触和快速机动等特性,兼具无线通信和光纤通信的优点,其关键技术在于光收发端机的研制;PPM(Pulse Position Modulation)数字脉冲位置调制具有低平均功率和高峰值功率等特性,特别适合用于无线数字光通信。两者性能的融合需要高灵敏度数字光接收机的实现。利用阵列光电检测接收、高速A/D转换和信号处理等相关技术,采用DSP处理器,高灵敏度的数字光PPM接收机得以实现,实验和测试表明它大大降低了接收机对于整个系统信噪比的要求,获得了较好的性能。 相似文献
85.
86.
利用掺钛的蓝宝石飞秒激光系统输出的单脉冲和多脉冲飞秒激光(中心波长800 nm,脉宽50 fs,靶面聚焦直径Ф 40 μm),分别对BK7玻璃基底上厚约500 nm的单层HfO2和单层ZrO2薄膜进行辐照,得到了这两种薄膜在1-on-1和1 000-on-1测试方法下的激光损伤阈值。实验发现,两种方法下HfO2单层膜的阈值均比ZrO2单层膜的阈值高。从简化的Keldysh多光子离化理论出发,认为HfO2薄膜材料的带比ZrO2的宽是导致上述结果的主要原因。同时,同一种薄膜的多脉冲下的阈值比单脉冲下的低,原因是多脉冲下,飞秒激光对光学薄膜的损伤存在累积效应。 相似文献
87.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
关键词:
纳米导线
场发射
增强因子
阵列数目 相似文献
88.
89.
90.
通过X射线衍射及磁测量手段研究了Dy2AlFe16-xMnx化合物的结构和磁性.研究结果表明Dy2AlFe16-xMnx化合物具有六角相的Th2Ni17型结构.对x=1,2的样品采用X射线热膨胀测定法在104-647K的温度范围内测量了其热膨胀性质,发现这些化合物在低温下存在热膨胀反常现象,在居里点附近出现负膨胀性质.对自发磁致伸缩的研究结果表明Dy2AlFe16-xMnx化合物中存在着较强的各向异性的自发磁致伸缩,随着Mn含量的增加,其低温下的自发体磁致伸缩减弱.磁测量结果表明Mn的替代导致Dy2AlFe16-xMnx化合物的居里温度及自发磁化强度急剧下降. 相似文献